眾所周知，在第一次蒸汽革命，第二次電氣革命后，大家都認為第三次革命是信息革命，而半導體的發展優勢信息化的基礎。源于信息技術的需要，半導體物理，材料等的發展顯得自然而然。所以，今天我們就來探討一下半導體的前世今生。

1945年第二次世界大戰結束，美國貝爾實驗室成了固體物理組，1947年巴丁和布拉頓制成了世界上第一個鍺點接觸型三極管，具有電流放大作用，這揭開了晶體管大發展的序幕。1948年1月，肖克萊研究了另一種面結型晶體管，是平面狀的，可以通過一些平面工藝進行大規模生產，晶體管的優越性才廣為人知，捉奸取代了真空電子管。因為晶體管的發明，巴丁，布拉頓和肖克萊共同獲得了1956年的諾貝爾物理獎。而半導體晶體管的第一個應用公司索尼公司，也因此大賺一筆。

1958年9月，基爾比制成了世界上第一個集成電路振蕩器，命名為小型化電子電路。1959年2月，諾伊斯在霍爾提出的平面晶體管方法的基礎上將金或鋁蒸發，從而制成集成電路，命名為“半導體器件與引線結構”，集成電路走上了大規模發展的新時期。

后又因人造衛星的需要，太陽能電池被發明，因半導體發光管和激光器與太陽能電池相反的工作原理，因而在太陽能電池被發明后不久，半導體發光管和激光器也隨之出現。而最后分子外延技術的出現，更是極大促進了雙異質結激光器的研究進程。

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